NV-центр

NV-центр (англ. nitrogen-vacancy center) или азото-замещённая вакансия в алмазе — это один из многочисленных точечных дефектов алмаза: нарушение строения кристаллической решётки алмаза, возникающее при удалении атома углерода из узла решётки и связывании образовавшейся вакансии с атомом азота.

Уникальность дефекта заключается в том, что его свойства практически аналогичны свойствам атома, будь тот «заморожен» в кристаллической решётке алмаза: электронные спины индивидуального центра легко манипулируются: светом; магнитным, электрическим и микроволновыми полями; — что позволяет записывать квантовую информацию (кубиты) на спине ядра центра. Такая манипуляция возможна даже при комнатной температуре; центр имеет продолжительное (достигающее нескольких миллисекунд) время хранения наведённой спиновой поляризации. В настоящее время — NV-центр может рассматриваться как базовый логический элемент будущего квантового процессора, необходимого для создания квантового компьютера, линий связи с квантовым протоколом безопасности и других применений спинтроники.

Структура центра

NV-центр является дефектом кристаллической решётки алмаза. Этот дефект включает в себя вакансию решётки со связанным с ней атомом азота. Размер решётки составляет 3,56 ангстрема; ось симметрии проходит по линии, соединяющей вакансию и атом азота (изображена на иллюстрации как линия [111]).

Методы исследования

Из спектроскопических исследований известно, что этот дефект может иметь заряд: отрицательный (N-V−) или нейтральный (N-V0). В исследованиях использовались различные методы: оптическое поглощение, фотолюминесценция (ФЛ), электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) и оптически-детектируемый магнитный резонанс (ОДМР), который можно считать гибридом ФЛ и ЭПР; ЭПР даёт наиболее подробную картину взаимодействия. Атом азота имеет пять валентных электронов: три из них — ковалентно связаны с близлежащими атомами углерода; два — с вакансией. Дополнительный электрон — центр захватывает со «стороны» (видимо, от другого атома азота); иногда центр теряет этот электрон, превращаясь в нейтральный.

У негативно заряженного центра (N-V−) — электрон находится рядом с вакансией, образуя спиновую пару S=1 с одним из её валентных электронов. Как и в N-V0 — электроны вакансии обмениваются ролями, сохраняя полную тригональную симметрию. Состояние N-V− обычно и называют NV-центром. Электрон находится большую часть времени (90%) вблизи вакансии NV-центра.

NV-центры, как правило, случайно разбросаны в теле алмаза — но ионная имплантация позволяет создавать центры в определённо заданном месте.

Энергетическая структура уровней NV-центра

Энергетическая структура N-V− центров изучалась теоретически и экспериментально. В экспериментах в основном применялся комбинированный способ возбуждения: метод электронного параметрического резонанса и лазерное излучение.

Гамильтониан

Спиновый Гамильтониан центра, у которого в вакансии находится изотоп азота N 14 {displaystyle N^{14}} , — имеет вид:

H = D S ^ z 2 + g β S ^ z B + A I ^ S ^ + g n β n I ^ z B + Q I ^ z 2 {displaystyle H=D{hat {S}}_{z}^{2}+geta {hat {S}}_{z}B+A{hat {I}}{hat {S}}+g_{n}eta _{n}{hat {I}}_{z}B+Q{hat {I}}_{z}^{2}}

…комментарий к которому приведён в таблице 1.

Схема уровней — представлена на рисунке. Чтобы определить собственные состояния центра — его рассматривают как молекулу; в расчётах применяется метод линейной комбинации атомных орбиталей и используется теория групп, учитывающая симметрии: как алмазной кристаллической структуры, так и самого NV. Энергетические уровни помечены в соответствии с симметрией группы C 3 V {displaystyle C_{3V}} , то есть: A 1 {displaystyle A_{1}} , A 2 {displaystyle A_{2}} и E {displaystyle E} .

Числа «3» в ³A и «1» в 1A — представляют число спиновых состояний, разрешённых для ms: спиновую мультиплетность, лежащую от −S до S при полном числе 2S+1 возможных состояний (если S=1 — ms может принимать значения: −1, 0, 1). Уровень 1A — предсказан теорией, и играет важную роль в подавлении фотолюминесценции, — но прямого экспериментального наблюдения этого состояния пока не было…

В отсутствие внешнего магнитного поля — электронные состояния (основное и возбуждённое) расщеплены магнитным взаимодействием между двумя неспаренными электронами N-V− центра: при параллельных спинах электронов (ms=±1) — их энергия больше, чем в случае с антипараллельными спинами (ms=0).

Чем дальше отделены электроны — тем слабее взаимодействие D (приблизительно, D ~ 1/r³). Иными словами, меньшее расщепление возбуждённого состояния — означает большую удалённость друг от друга электронов. Когда N-V− находится во внешнем магнитном поле — оно не влияет ни на ms=0 состояния, ни на 1A состояние (из-за того, что S=0), но расщепляет ms=±1 уровни; если же магнитное поле сориентировано вдоль оси дефекта и его величина достигает 1027 гаусс (или 508 гаусс), то уровни ms=−1 и ms=0 в основном (или возбуждённом) состоянии имеют одинаковую энергию. При этом они сильно взаимодействуют через т. н. спиновую поляризацию, что очень сильно влияет на интенсивности: оптического поглощения и люминесценции этих уровней.

Для того чтобы это понять — необходимо иметь в виду, что переходы между электронными состояниями происходят с сохранением полного спина. По этой причине, переходы ³E↔1A и 1A↔³A — безызлучательные и тушат люминесценцию, — тогда как переход ms = −1 ↔ 0 запрещён в отсутствие поля и становится разрешённым, когда магнитное поле перемешивает ms=−1 и ms=0 уровни основного состояния. Результатом является то, что интенсивность люминесценции можно сильно модулировать магнитным полем.

Возбуждённое состояние ³E — дополнительно расщеплено, благодаря орбитальному вырождению и спин-орбитальному взаимодействию. Это расщепление может быть промодулировано внешним статическим полем: как электрическим, так и магнитным.

Расстояние между уровнями m s = 0 {displaystyle m_{s}=0} и m s = ± 1 {displaystyle m_{s}=pm 1} приходится на микроволновый диапазон (~2.88 ГГц). Облучая центр микроволновым полем, можно изменять населённость подуровней основного состояния — и тем самым модулировать интенсивность люминесценции. Эта техника называется методом электронного парамагнитного резонанса.

Сила осциллятора перехода ( 3 A ⇔ 3 E ) {displaystyle (^{3}ALeftrightarrow ^{3}E)}

Переход из основного триплетного состояния A³ в возбуждённое триплетное состояние Е³ имеет большую силу осциллятора: 0,12 (для сравнения: D1 линия Rb87 имеет 0.6956) — что позволяет легко детектировать этот переход оптическими методами. Хотя тонкая структура возбуждённого состояния сильно зависит от окружения центра, но известно, что переход из возбуждённого ms=0 (³E) в основное ms=0 (³A) состояние сохраняет спин состояния — тогда как переход из состояний ms=±1 (³E) в ms=0 (³A) происходит безызлучательным способом. Этот переход осуществляется в два этапа: через синглетное состояние 1A.

Существует также дополнительное расщепление состояний ms=±1, являющееся результатом сверхтонкого взаимодействия между ядерным и электронным спинами. В итоге, спектр поглощения и люминесценции N-V− центра состоит приблизительно из дюжины узких линий разделённых на несколько МГц—ГГц. Интенсивность и положение этих линий могут быть промодулированы следующими способами:

• Амплитуда и направление магнитного поля, которое расщепляет состояния ms = ±1 в основном и в возбуждённых термах;
• Амплитуда и направление напряжений: механического (простое сжатие алмаза) или электрического;
• Непрерывное микроволновое излучение;
• Лазерное излучение, возбуждающее селективно тот или иной уровень основного состояния: импульсное микроволновое излучение возбуждает в центрах динамические эффекты (Раби перевёртывание, Раби осцилляции).

Микроволновый импульс когерентно возбуждает электронные спины центра; за состоянием электронных спинов следят по флуоресценции оптических переходов. Динамические эффекты весьма важны при создании квантовых компьютеров.

Тонкий оптический спектр

Тонкий оптический спектр NV-центра определяется несколькими факторами:

• Механическим напряжением внутри кристалла;
• Присутствием атомов в окружении NV-центра:
  • Изотоп азота 14N;
  • Изотоп углерода 13C;
    — имеющих ядерный спин равный 1 и ½, соответственно. Спин-спиновое взаимодействие ядра и электронов приводит к дополнительному усложнению спектра центра.

Изотопы 15N и 12C имеют ядерный спин равный ½ и 0, соответственно.

Ширина спектра флуоресценции нулевой фононной линии

Ширина спектра флуоресценции нулевой фононной линии γ ( T ) {displaystyle gamma (T)} при температурах T < 10 K постоянна и равна 13 МГц. С повышением температуры — ширина растёт по закону: γ ( T ) = 2 π ×   16.2 M H z + c 2 r T 5 {displaystyle {gamma (T)=2pi imes ~16.2MHz+c_{2}rT^{5}}} ,

где c 2 = ( 9.2 ± 0.5 ) × 10 − 7 K − 5 {displaystyle {c_{2}=(9.2pm 0.5) imes 10^{-7}K^{-5}}} , и r = ( 12.5 n s ) − 1 {displaystyle {r=(12.5ns)^{-1}}} . Такую зависимость объясняют перемешиванием спиновых состояний в возбуждённом состоянии 3 E {displaystyle {^{3}}E} .

Изготовление

Даже высокочистый природный и синтетический (IIa-типа) алмаз содержит небольшую концентрацию NV-центров. (Высокочистый синтетический алмаз изготавливают с помощью химического осаждения из паровой фазы (CVD)). Если же концентрация центров недостаточна, то образцы облучают и отжигают. Облучение ведут высокоэнергетическими частицами (10—80 кэВ); это может быть поток: электронов, протонов, нейтронов и гамма-частиц. NV−-центры создаются на глубине до 60 мкм. Интересно, что NV0 в основном залегают до 0.2 мкм глубин. Созданные вакансии при комнатной температуре малоподвижны, однако при повышении температуры (выше 800С) их подвижность значительно вырастает. Атом азота, внедрённый в решётку, захватывает одну из вакансий и создаёт с другой соседней вакансией NV−.

Алмаз известен тем, что его решётка имеет внутренние напряжения, которые расщепляют, смещают и уширяют уровни NV-центра. Для регистрации узких линий (~10 MHz) на переходе 3 A ⇔ 3 E {displaystyle ^{3}ALeftrightarrow ^{3}E} нужно принимать особые меры к качеству кристалла. Для этого используют высоко-чистый природный алмаз или синтетически изготовленный (IIa-типа).

Для исследования центров обычно применяют конфокальный сканирующий микроскоп, имеющий субмикронное разрешение (~250 нм).